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Toshiba starts test-sample shipments of 1200V trench-gate SiC MOSFET for AI data centers

22.05.26 11:44 Uhr
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Toshiba Electronics Europe GmbH has started test-sample shipments of the TW007D120E 1200V trench-gate SiC MOSFET, which is primarily intended for power supply systems in AI data centers...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today

Quelle: Semiconductor Today

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