Atomera’s MST-enabled GaN-on-Si devices reduce parasitic interface charge by order of magnitude
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Semiconductor materials and technology licensing company Atomera Inc of Los Gatos, CA, USA has announced a new approach to GaN-on-silicon that addresses a key performance barrier limiting its use in mainstream RF applications...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
