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ROHM partners with Aixtron to establish in-house GaN epi
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Deposition equipment maker Aixtron SE of Herzogenrath, near Aachen, Germany has announced a strategic production partnership with ROHM Semiconductor, which has selected Aixtron’s G10-GaN metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system to establish in-house gallium nitride (GaN) epitaxy at its Hamamatsu plant in Japan. The system is currently ramping for volume production of 8-inch GaN epitaxial wafers for 650V and 100V power device platforms...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
