STMicro-Aktie steigt: STMicroelectronics gründet JV mit chinesischem Halbleiter-Konzern

Beide Anbieter gründen für die Herstellung von 200-Millimeter-Siliziumkarbid-Bauelementen in China ein Gemeinschaftsunternehmen. Dazu soll eine entsprechende Fabrik in der Volksrepublik entstehen, wie STM am Mittwoch in Genf mitteilte.

In der im chinesischen Chongqing geplanten Fabrik soll die Produktion im vierten Quartal 2025 beginnen, bis 2028 sollen die Kapazitäten vollständig ausgebaut sein. Das Gemeinschaftsunternehmen werde die Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen, hieß es weiter. Parallel dazu will Sanan eine weitere neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate errichten und betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures weiter zu decken.

Siliziumkarbid wird unter anderem in Elektroautos eingesetzt. Die Härte und chemischen Eigenschaften des Werkstoffs mit der chemischen Formel SiC ermöglichen geringere Leistungsverluste, sodass Elektroautos mit der gleichen Ladeleistung weiter fahren können. STM-Chef Jean-Marc Chery geht davon aus, bis 2030 einen Umsatz von 5 Milliarden Euro mit der SiC-Technologie erzielen zu können. China gilt dabei als bedeutender Markt, denn die Zahl der Elektroautos dort auf den Straßen wächst rasant.

Für die geplante Zusammenarbeit nehmen STM und Sana insgesamt 3,2 Milliarden Dollar (3 Milliarden Euro) in die Hand, mehr als zwei Drittel davon werden in den nächsten fünf Jahren investiert. Die Unternehmen setzen dabei auch auf Subventionen der chinesischen Regierung.

An der EURONEXT in Paris geht es für Papiere von STMicroelectronics zeitweise um 2,45 Prozent hoch auf 42,79 Euro.

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GENF (dpa-AFX)