Mitsubishi Electric to ship 5th-generation trench SiC MOSFET bare die samples
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In late June, Tokyo-based Mitsubishi Electric Corp will begin sequentially shipping samples of two types of new 5th-generation silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiC MOSFETs) in bare die form...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
