anmelden
Infineon präsentiert branchenweit ersten Siliziumkarbid-Bidirektionalschalter auf Basis der CoolSiC G2-Technologie
Werte in diesem Artikel
München, 02. Juni 2026 Infineon stellt die ersten Siliziumkarbid (SiC) Bidirektionalschalter (BDS) vor, die auf der robusten 750V CoolSiC G2-Technologie basieren. Ein vertikal integriertes Dual-Die-Design mit Common-Drain-Konfiguration im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse vereint zwei Leistungsschalter in einem einzigen Bauelement für vereinfachtes Design und die Grundlage zur Weiterentwicklung bestehender Topologien. Während der verfügbare 650V CoolGaN BDS auf hohe Leistungsdichte bei hohen Frequenzen abzielt, bietet der 750V CoolSiC BDS die Zuverlässigkeitsreserven, die moderne Netze und Energiesysteme fordern für die niedrigsten Gesamtbetriebskosten über die gesamte Applikationslebensdauer.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG
Ausgewählte Hebelprodukte auf Infineon
Mit Knock-outs können spekulative Anleger überproportional an Kursbewegungen partizipieren. Wählen Sie einfach den gewünschten Hebel und wir zeigen Ihnen passende Open-End Produkte auf Infineon
Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
Quelle: Infineon
